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» 型號"BFP 520F E6327"的供應信息
BFP 520F E6327 全國供應商、價格、PDF資料
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BFP 520F E6327詳細規格
類別:RF 晶體管 (BJT)
描述:TRANSISTOR RF NPN 2.5V TSFP-4
系列:-
制造商:Infineon Technologies
晶體管類型:NPN
電壓_集電極發射極擊穿(最大):3.5V
頻率_轉換:45GHz
噪聲系數(dB典型值0a0頻率):0.95dB @ 1.8GHz
增益:22.5dB
功率_最大:100mW
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:70 @ 20mA,2V
電流_集電極333Ic444(最大):40mA
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:4-SMD,扁平引線
供應商設備封裝:4-TSFP
包裝:帶卷 (TR)
BFP 520F E6327詳細規格
類別:RF 晶體管 (BJT)
描述:TRANSISTOR RF NPN 2.5V TSFP-4
系列:-
制造商:Infineon Technologies
晶體管類型:NPN
電壓_集電極發射極擊穿(最大):3.5V
頻率_轉換:45GHz
噪聲系數(dB典型值0a0頻率):0.95dB @ 1.8GHz
增益:22.5dB
功率_最大:100mW
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:70 @ 20mA,2V
電流_集電極333Ic444(最大):40mA
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:4-SMD,扁平引線
供應商設備封裝:4-TSFP
包裝:剪切帶 (CT)
BFP 520F E6327詳細規格
類別:RF 晶體管 (BJT)
描述:TRANSISTOR RF NPN 2.5V TSFP-4
系列:-
制造商:Infineon Technologies
晶體管類型:NPN
電壓_集電極發射極擊穿(最大):3.5V
頻率_轉換:45GHz
噪聲系數(dB典型值0a0頻率):0.95dB @ 1.8GHz
增益:22.5dB
功率_最大:100mW
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:70 @ 20mA,2V
電流_集電極333Ic444(最大):40mA
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:4-SMD,扁平引線
供應商設備封裝:4-TSFP
包裝:Digi-Reel®
BFP 520F E6327供應商
BFP 520F E6327
江蘇芯鉆時代電子科技有限公司
18913062888
BFP 520F E6327
深圳市芯澤盛世科技有限公司
0755-89697985
BFP 520F E6327
深圳市諾洋電子科技有限公司
0755-83223003
BFP 520F E6327
深圳市科雨電子有限公司
133-5299-5145
BFP 520F E6327
北京首天偉業科技有限公司
010-62104931、
BFP 520F E6327
北京顯周科技有限公司
13910052844(微
BFP 520F E6327
北京顯周科技有限公司
13910052844(微
BFP 520F E6327
北京上用科技有限公司
13910052844(微
查看更多BFP 520F E6327的供應商
C0805C273J8RACTU
陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 0.027UF 10V 5% X7R 0805
BMI-S-204-C
RF 屏蔽 Laird Technologies EMI 0805(2012 公制) BOARD SHIELD 1.26X1.26" COVER
BFP 450 E6433
RF 晶體管 (BJT) Infineon Technologies SC-82A,SOT-343 TRANSISTOR NPN RF 4.5V SOT-343
BFP540FESDE6327
RF 晶體管 (BJT) Infineon Technologies 4-SMD,扁平引線 TRANS RF NPN 4.5V 80MA TSFP-4
C0603C159C5GACTU
陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 1.5PF 50V NP0 0603
BR24S16FVT-WE2
存儲器 Rohm Semiconductor 8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) IC EEPROM 16KBIT 400KHZ 8TSSOP
C0603X5R1A104K
陶瓷 TDK Corporation 0201(0603 公制) CAP CER 0.1UF 10V 10% X5R 0201
C1812H104J5GACTU
陶瓷 Kemet 1812(4532 公制) CAP CER 0.1UF 50V 5% NP0 1812
BMI-S-206-C
RF 屏蔽 Laird Technologies EMI 1812(4532 公制) BOARD SHIELD 1.326X1.45" COVER
C0603C159C5GACTU
陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 1.5PF 50V NP0 0603
BR24S256FJ-WE2
存儲器 Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC EEPROM 256KBIT 400KHZ 8SOP
BFP640FE6327
RF 晶體管 (BJT) Infineon Technologies 4-SMD,扁平引線 TRANSISTOR NPN RF 4V TSFP-4
C1812H224J5GACTU
陶瓷 Kemet 1812(4532 公制) CAP CER 0.22UF 50V 5% NP0 1812
C0603X5R1A154K
陶瓷 TDK Corporation 0201(0603 公制) CAP CER 0.15UF 10V 10% X5R 0201
C0805C273K5RACTU
陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 0.027UF 50V 10% X7R 0805
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